显示源文件修订记录反向链接回到顶部 Share via Share via... Twitter LinkedIn Facebook Teams最近更改Send via e-Mail打印Permalink × 目录 简易可变电容 晶振振荡电路 锂电池转3.3V方案比较 假芯片重灾区 简易可变电容 三个电容为同一容量。1倍容量意为相当于其中一个电容。 不连接跳线:0.5倍容量 连接跳线A:0.66倍容量 连接跳线B:1倍容量 连接跳线C:1.5倍容量 连接跳线B和C:2倍容量 连接跳线A、B和C:电容被短路 不推荐用于高频电路。 晶振振荡电路 X1 R1 R2 C1 C2 25MHz1MΩ1kΩ15pF15pF 非门应当采用无缓冲器的型号(如 74HCU04、74HC368)。 锂电池转3.3V方案比较 DC-DC LDO 串联二极管磷酸铁锂电池 大电流效率较高 一般 一般 N/A 小电流效率较低 较高 较高 N/A 电压稳定性一般 较好,但只能降压差 见备注① 成本 较高 较低 极低 相对普通锂电池来讲容量越大越低 占地面积 较大 较小 小 小,但是电池本身容量密度较低 电磁干扰 高 低 低 低 ①磷酸铁锂电池放电平台平缓,但是3.65V满电电压可能超出个别器件的供电电压范围,这种情况可以串联一个锗管或肖特基管,将电压降到3.45V 假芯片重灾区 非原字芯片50%假货,拆换费时费力,别买 AM29F040B,DIP32/PLCC32,多采用其他型号其他容量冒充。AM29F040B-120J多为原装原字。 AX5202,MMC3 ASIC,部分假货背面有丝印 YM3812、YM2413等音源芯片 zh/电路.txt 最后更改: 15月前由 milowork